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產品簡介
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簡介：
C60-20S 離子源系統是一種高性能離子束，設計用于濺射表面，具有較小的損傷和減少的沿周濺射效應。
C60-20S 離子源系統在高達20 kV的電壓下工作，可有效地濺射材料，且損傷較小，無需重新沉積碳。
C60是XPS、AES和SIMS的理想升級組件，可在多種材料上均勻濺射。
主要參數：
| 主要應用 | 濺射 |
| 光斑尺寸 | 100 µm |
| 掃描范圍 | 4 x 4 mm |
| 能耗范圍 | 5 – 20 kV |
| 電流范圍 | 50 nA |
| 法蘭至機頭長度 | 142 mm |
| 推薦工作距離 | 50 mm |
| 電源裝置 | 3U x 19’’ rack mountable unit |
| 電源要求 | 110-240VAC 13A 50/60Hz |
| 軟件要求 | PC running Windows 10 or later |
| 集成法蘭規格 | NW 63 CF |
特點:
◇ 電流密度高，蝕刻速度更快；
◇ 與單原子束相比，可減少化學損傷；
◇ 不同材料和晶體取向的濺射率一致；
◇ 閘閥，便于快速維修；
◇ 源壽命長；
應用領域：
◇ 聚合物的高速、低化學損傷蝕刻；
◇ C60離子濺射的速度比單原子束(包括氬和氙)快50倍，同時 對底層材料造成的損害要小得多；
◇ 下圖比較了15kev的C60濺射產率與15kev金、氙鎵和氬的TRIM數據。在相反的例子中，用C60和單原子氬離子束濺 射清洗PTFE薄膜；
◇ 雖然兩種離子束都去除了表面污染，但只有C60離子束的表 面化學性質沒有發生變化；
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